STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

5 212,14 kr

(exkl. moms)

6 515,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +173,738 kr5 212,14 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
202-5489
Tillv. art.nr:
SCTW40N120G2VAG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

33A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Kapseltyp

Hip-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.105Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Maximal effektförlust Pd

290W

Framåtriktad spänning Vf

3.4V

Maximal arbetstemperatur

200°C

Höjd

34.95mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.75mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Relaterade länkar