Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQ7414CENW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 653-186
- Tillv. art.nr:
- SQ7414CENW-T1_JE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
9,18 kr
(exkl. moms)
11,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 360 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 24 | 9,18 kr |
| 25 - 99 | 8,96 kr |
| 100 - 499 | 8,74 kr |
| 500 - 999 | 7,39 kr |
| 1000 + | 6,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 653-186
- Tillv. art.nr:
- SQ7414CENW-T1_JE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | SQ7414CENW | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Typ av fäste | Kretskort | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.028Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 62W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 3.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie SQ7414CENW | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Typ av fäste Kretskort | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.028Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 62W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 3.4mm | ||
Höjd 1.12mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 3.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay SQ7414CENW-serien enkel MOSFET, 60 V drain-källspänning, 18 A kontinuerlig drain-ström - SQ7414CENW-T1_JE3
Denna enkla MOSFET ger omkopplings- och förstärkningsförmåga för kraftelektronikkretsar i krävande fordons- och industriella sammanhang. Utformad som en N-kanalförstärkningsenhet, den är avsedd för kretskortsmontering där kontrollerad ledning och termisk motståndskraft krävs.
Funktioner och fördelar:
• Maximal dräneringsspänning på 60 V för högre spänningssystem • 18 A kontinuerlig dräneringsström för att hantera betydande belastningsströmmar • 0,028 Ω påslagningsresistans minskar ledningsförluster • 25 nC typisk grindladdning för effektiv omkopplingsstyrning • 62 W effektförlust som möjliggör förhöjd effekthantering • Maximal drifttemperatur på 175 °C för miljöer med höga temperaturer
Användningsområden
• Lämpligt för fordonsströmfördelningsmoduler som kräver AEC‐Q101-klassade komponenter • Idealisk för motorstyrningsstegen i industriella automationssystem • Används för omkopplingsfunktioner i strömhanteringsenheter på kretskort • Kan användas för batteriskydd och belastningsomkoppling i fordonselektronik
Vilka överväganden om gate-drivning är nödvändiga för effektiv omkoppling?
Använd en grinddrivare som kan mata och sänka ström för att uppnå önskad dv/dt med en typisk grindladdning på 25 nC vid den applicerade grindspänningen.
Hur bör värmehantering hanteras på ett kretskort?
Tillhandahåller termiska vägar och tillräcklig kopparyta på kretskortet för att dissipera upp till 62 W och hålla kopplingstemperaturer under säkra gränser vid max. 175 °C.
Vilka gränser bör iakttas för säkra driftspänningar?
Se till att drain-källspänningen aldrig överstiger 60 V och gate-källspänningen förblir inom ±20 V för att förhindra enhetsbelastning.
Finns det överväganden för långvariga omgivningsförhållanden?
Utformad för drift ned till -55 °C och upp till 175 °C maximal enhetstemperatur, val av material och layouter som rymmer termisk cykling och expansion.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQ7414CENW AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJA36EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIS5712DN
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIR5712DP
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 413 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJQ140ER AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 54 A 72 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQS178EL AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 19.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJ190 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 87 A 72 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQS174ELNW AEC-Q101
