Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIR5712DP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

21 525,00 kr

(exkl. moms)

26 907,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,175 kr21 525,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
653-110
Tillv. art.nr:
SIR5712DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

18A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

PowerPAK

Serie

SIR5712DP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0555Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

40W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.8nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.15mm

Längd

6.15mm

Höjd

1.04mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för högeffektiv omkoppling i system med hög effekttäthet. Den stöder upp till 150 V drain-källspänning. Förpackad i PowerPAK SO-8, den använder TrenchFET Gen V-teknik för att leverera låg RDS(on), minskad grindladdning och utmärkt termisk prestanda.

Blyfri

Halogenfria

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.