Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 54 A 72 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQS178EL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 653-134
- Tillv. art.nr:
- SQS178ELNW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
15 801,00 kr
(exkl. moms)
19 752,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,267 kr | 15 801,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 653-134
- Tillv. art.nr:
- SQS178ELNW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 54A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 72V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | SQS178EL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.012Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 750μm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 54A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 72V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie SQS178EL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.012Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 750μm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 54 A 72 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQS178EL AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 87 A 72 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQS174ELNW AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQ2310CES AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 19.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJ190 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 345 A 40 V Förbättring, 3 Ben, PowerPAK, SQJQ14 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 94 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQS146 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 136 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJQ114EL AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 413 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJQ140ER AEC-Q101
