Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQ7414CENW AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 653-185
Tillv. art.nr:: SQ7414CENW-T1_JE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQ7414CENW AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

14 319,00 kr

(exkl. moms)

17 898,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 16 mars 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	4,773 kr	14 319,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 653-185
Tillv. art.nr:: SQ7414CENW-T1_JE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Enkla MOSFETs
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	18A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	PowerPAK
	Serie	SQ7414CENW
	Typ av fäste	Kretskort
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.028Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	25nC
	Maximal effektförlust Pd	62W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	3.4mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Bredd	3.4mm
	Höjd	1.12mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Enkla MOSFETs
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp PowerPAK
	Serie SQ7414CENW
	Typ av fäste Kretskort
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.028Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC
	Maximal effektförlust Pd 62W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 3.4mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Bredd 3.4mm
	Höjd 1.12mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SQ7414CENW-T1_JE3

Vishay SQ7414CENW-serien enkel MOSFET, 60 V drain-källspänning, 18 A kontinuerlig drain-ström - SQ7414CENW-T1_JE3

Denna enkla MOSFET ger omkopplings- och förstärkningsförmåga för kraftelektronikkretsar i krävande fordons- och industriella sammanhang. Utformad som en N-kanalförstärkningsenhet, den är avsedd för kretskortsmontering där kontrollerad ledning och termisk motståndskraft krävs.

Funktioner och fördelar:

• Maximal dräneringsspänning på 60 V för högre spänningssystem • 18 A kontinuerlig dräneringsström för att hantera betydande belastningsströmmar • 0,028 Ω påslagningsresistans minskar ledningsförluster • 25 nC typisk grindladdning för effektiv omkopplingsstyrning • 62 W effektförlust som möjliggör förhöjd effekthantering • Maximal drifttemperatur på 175 °C för miljöer med höga temperaturer

Användningsområden

• Lämpligt för fordonsströmfördelningsmoduler som kräver AEC‐Q101-klassade komponenter • Idealisk för motorstyrningsstegen i industriella automationssystem • Används för omkopplingsfunktioner i strömhanteringsenheter på kretskort • Kan användas för batteriskydd och belastningsomkoppling i fordonselektronik

Vilka överväganden om gate-drivning är nödvändiga för effektiv omkoppling?

Använd en grinddrivare som kan mata och sänka ström för att uppnå önskad dv/dt med en typisk grindladdning på 25 nC vid den applicerade grindspänningen.

Hur bör värmehantering hanteras på ett kretskort?

Tillhandahåller termiska vägar och tillräcklig kopparyta på kretskortet för att dissipera upp till 62 W och hålla kopplingstemperaturer under säkra gränser vid max. 175 °C.

Vilka gränser bör iakttas för säkra driftspänningar?

Se till att drain-källspänningen aldrig överstiger 60 V och gate-källspänningen förblir inom ±20 V för att förhindra enhetsbelastning.

Finns det överväganden för långvariga omgivningsförhållanden?

Utformad för drift ned till -55 °C och upp till 175 °C maximal enhetstemperatur, val av material och layouter som rymmer termisk cykling och expansion.