Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJA36EP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 653-069
- Tillv. art.nr:
- SQJA36EP-T1_JE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 25 till för att spara 22,50 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
22,85 kr
(exkl. moms)
28,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 24 | 22,85 kr | - |
| 25 - 99 | 21,95 kr | 22,50 kr |
| 100 - 499 | 21,62 kr | 123,00 kr |
| 500 - 999 | 18,59 kr | 2 130,00 kr |
| 1000 + | 17,47 kr | 5 380,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 653-069
- Tillv. art.nr:
- SQJA36EP-T1_JE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SQJA36EP | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00124Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 86nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 6.25mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Längd | 6.25mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SQJA36EP | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00124Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 86nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 6.25mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Längd 6.25mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays N-kanal MOSFET i fordonskvalitet är byggd för högeffektiv omkoppling i kraftigt täta miljöer. Den stöder upp till 40 V avloppsspänning och hanterar kontinuerliga avloppsströmmar på upp till 350 A, vilket gör den idealisk för krävande fordonstillämpningar. Den är förpackad i PowerPAK SO-8L och har TrenchFET Gen IV-teknik för extremt låg RDS(on) och optimerad växlingsprestanda.
AEC Q101-kvalificerade
Blyfri
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, SQJA36EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA36EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SQ7414CENW AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 375 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 118 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 266 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101