Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 600 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN2106
- RS-artikelnummer:
- 598-580
- Tillv. art.nr:
- VN2106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 påse med 2000 enheter)*
7 708,00 kr
(exkl. moms)
9 636,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,854 kr | 7 708,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-580
- Tillv. art.nr:
- VN2106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 600mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | VN2106 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.82in | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 0.205in | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 600mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie VN2106 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.82in | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 0.205in | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Microchip N channel enhancement-mode vertical transistor utilizes a vertical double-diffused metal oxide semiconductor (DMOS) structure along with a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination ensures the device is free from secondary breakdown and operates with a low power drive requirement, making it efficient and reliable for various applications.
Ease of paralleling
Low power drive requirement
High input impedance and high gain
Relaterade länkar
- Microchip Typ N Kanal 3.4 A 60 V Förbättring TO-92, TN0106
- Microchip Typ P Kanal 280 mA 80 V Förbättring TO-92, VP0808
- Microchip Typ N Kanal 250 mA 600 V Förbättring SOT-89, VN2460
- STMicroelectronics Typ N Kanal 39 A 600 V Förbättring PowerFLAT, ST8L60
- Microchip Typ N Kanal 410 mA 60 V Förbättring TO-39, 2N6660
- Vishay Typ N Kanal 38 A 600 V Förbättring PowerPAK, EF
- Vishay Typ N Kanal 31 A 600 V Förbättring PowerPAK, EF
- Vishay Typ N Kanal 38 A 600 V Förbättring PowerPAK, E
