Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 600 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN2106
- RS-artikelnummer:
- 598-580
- Tillv. art.nr:
- VN2106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (2000 enheter, i en påse med 2000)*
10 080,00 kr
(exkl. moms)
12 600,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 2000 + | 5,04 kr | 10 080,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-580
- Tillv. art.nr:
- VN2106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 600mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | VN2106 | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 0.205in | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 0.165in | |
| Höjd | 0.82in | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 600mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie VN2106 | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 0.205in | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 0.165in | ||
Höjd 0.82in | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips vertikala N-kanalförstärkningstransistor använder en vertikal dubbeldiffuserad metalloxidhalvledarstruktur (DMOS) tillsammans med en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination säkerställer att enheten är fri från sekundära fel och fungerar med ett krav på låg strömförbrukning, vilket gör den effektiv och tillförlitlig för olika applikationer.
Enkel synkronisering
Låga effektkrav för drivning
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning
Relaterade länkar
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 3.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN0106
- Microchip Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 280 mA 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VP0808
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 250 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, VN2460
- STMicroelectronics N Kanal, Enkla MOSFETs, 39 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, ST8L60
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 410 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-39, 2N6660
- Infineon N Kanal, Enkla MOSFETs, 60 A 600 V Förbättring, 3 Ben, CoolMOS AEC-Q101
- Microchip N Kanal, MOSFET, 3 A Förbättring, 3 Ben, TO-92
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
