Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 410 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-39, 2N6660
- RS-artikelnummer:
- 649-369
- Tillv. art.nr:
- 2N6660
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
160,38 kr
(exkl. moms)
200,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 175 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 160,38 kr |
| 5 + | 155,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 649-369
- Tillv. art.nr:
- 2N6660
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 410mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-39 | |
| Serie | 2N6660 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.25W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 410mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-39 | ||
Serie 2N6660 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 6.25W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
Microchips N-kanaltransistor med förstärkningsläge (normalt avstängd) som använder en vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination producerar en enhet med effekthanteringsfunktioner för bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och den positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning.
Fri från sekundära avbrott
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Låg Ciss och snabba omkopplingshastigheter
Utmärkt värmestabilitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, Enkla MOSFETs, 39 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, ST8L60
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 600 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN2106
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 250 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, VN2460
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 3.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN0106
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 0.73 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, TN2510
- Microchip Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 280 mA 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VP0808
- Microchip N Kanal, MOSFET, 350 mA 90 V Förbättring, 3 Ben, TO-39, 2N6661