Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 3.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN0106
- RS-artikelnummer:
- 598-395
- Tillv. art.nr:
- TN0106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 påse med 1000 enheter)*
10 698,00 kr
(exkl. moms)
13 372,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 1000 + | 10,698 kr | 10 698,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-395
- Tillv. art.nr:
- TN0106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TN0106 | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.82in | |
| Längd | 0.205in | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 0.165in | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TN0106 | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.82in | ||
Längd 0.205in | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 0.165in | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips vertikala transistor med lågt tröskelvärde för N-kanalförstärkningsläge är byggd med en vertikal DMOS-struktur och en väl etablerad tillverkning av silikongrind. Denna design kombinerar strömhanteringskapaciteten hos bipolära transistorer med den höga ingångsimpedansen och den positiva temperaturkoefficienten hos MOS-enheter. Liksom alla MOS-strukturer är denna enhet fri från termisk runaway och termiskt inducerad sekundärnedbrytning.
Snabba växlingshastigheter
Låg påslagningsresistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip TN0106 N-Channel MOSFET, 350 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 TN0106N3-G
- Microchip Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 280 mA 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VP0808
- Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 600 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN2106
- Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 410 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-39, 2N6660
- Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
- Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 0.73 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, TN2510
- Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 250 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, VN2460
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 3 A Förbättring, 3 Ben, TO-92