Infineon N Kanal, MOSFET, 142 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IMLT
- RS-artikelnummer:
- 349-047
- Tillv. art.nr:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
220,19 kr
(exkl. moms)
275,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 220,19 kr |
| 10 - 99 | 198,24 kr |
| 100 + | 182,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-047
- Tillv. art.nr:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 142A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | IMLT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 16 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 600W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 148nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 142A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-HDSOP-16 | ||
Serie IMLT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 16 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 600W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 148nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IMLT-serien MOSFET, 650 V drain-source-spänning, 142 A kontinuerlig drain-ström – IMLT65R015M2HXTMA1
Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för krävande strömomkopplingsroller. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i ett kompakt ytmonterat paket som är lämpligt för täta elektroniska monteringar. Enheten ger betydande effekthanteringskapacitet samtidigt som den uppfyller RoHS-miljögränsvärden.
Funktioner och fördelar:
• 18 mΩ påslagningsresistans minskar ledningsförluster
• 600 W effektförlust med stöd för omkoppling vid kraftig belastning
• 142 A kontinuerlig dräneringsström möjliggör tillämpningar med hög ström
• 650 V drain‐source-klassning möjliggör drift med hög spänning
• Gränsen för 23 V gate-källa ger skydd mot grindöverspänning
• 600 W effektförlust med stöd för omkoppling vid kraftig belastning
• 142 A kontinuerlig dräneringsström möjliggör tillämpningar med hög ström
• 650 V drain‐source-klassning möjliggör drift med hög spänning
• Gränsen för 23 V gate-källa ger skydd mot grindöverspänning
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsomvandlare
• Idealisk för industriella motordriftsteg
• Används för DC-DC- och PFC-kretsar
• Kan användas för växelriktare för förnybar energi
• Lämplig för högströmsomkopplingsmoduler
• Idealisk för industriella motordriftsteg
• Används för DC-DC- och PFC-kretsar
• Kan användas för växelriktare för förnybar energi
• Lämplig för högströmsomkopplingsmoduler
Vilken typ av förpackning använder den för kretskortsmontering?
Den levereras i en PG‐HDSOP‐16-förpackning för ytmontering som är lämplig för automatiserad placering.
Vilken termisk miljö tål den?
Den fungerar mellan -55 °C och 175 °C för brett temperaturområde.
Hur påverkar dess grindladdning omkopplingsprestanda?
Den typiska grindladdningen är 148 nC, vilket påverkar drivkraven och omkopplingsförlusterna under övergångar.
Är den lämplig för fordonskvalificering?
Den är inte specificerad som överensstämmande med fordonsstandard men uppfyller RoHS-miljöbegränsningar.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 82 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IMLT65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 67 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IMLT65