Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 2000 V Förbättring
- RS-artikelnummer:
- 349-317
- Tillv. art.nr:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
3 539,42 kr
(exkl. moms)
4 424,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 3 539,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-317
- Tillv. art.nr:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 195A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 2000V | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 6.15V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 2000V | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 6.15V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- HU
Infineons 62 mm CoolSiC MOSFET halvbryggmodul 2000 V, 5,2 mΩ G1 i den välkända 62 mm höljets design med M1H-chipteknik. Finns även med föranvänt termisk gränssnittsmaterial.
Hög strömtäthet
Låga omkopplingsförluster
Överlägsen grindoxidtillförlitlighet
Robust integrerad kroppsdiod
Hög robusthet mot kosmisk strålning
Höghastighetsomkopplingsmodul
Symmetrisk moduldesign
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 155 A 2000 V Förbättring
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, StrongIRFET