Sök efter MPN

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET

RS-artikelnummer:: 165-6715
Tillv. art.nr:: IRFB7430PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

981,10 kr

(exkl. moms)

1 226,40 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

1 850 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 - 50	19,622 kr	981,10 kr
100 - 200	18,70 kr	935,00 kr
250 - 450	18,209 kr	910,45 kr
500 - 950	17,739 kr	886,95 kr
1000 +	17,286 kr	864,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-6715
Tillv. art.nr:: IRFB7430PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	195A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	StrongIRFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.3mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	460nC
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	0.86V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	10.67mm
	Bredd	4.83mm
	Höjd	16.51mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TO-220
	Serie StrongIRFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.3mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 460nC
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 0.86V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 10.67mm
	Bredd 4.83mm
	Höjd 16.51mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: MX

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineons StarkIRFET familjen är optimerad för låg R_DS(på) och kapacitet för hög strömstyrka. Denna portfölj erbjuder förbättrad robusthet för gate, lavin och dynamisk dv/dt och är idealisk för industriella lågfrekvensapplikationer som motorstyrningar, elverktyg, växelriktare och batterihantering där prestanda och robusthet är avgörande.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.