Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- RS-artikelnummer:
- 124-9048
- Tillv. art.nr:
- IRFP7430PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 25 enheter)*
843,35 kr
(exkl. moms)
1 054,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Begränsat lager
- 25 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 33,734 kr | 843,35 kr |
| 50 - 100 | 32,046 kr | 801,15 kr |
| 125 - 225 | 30,697 kr | 767,43 kr |
| 250 - 475 | 29,348 kr | 733,70 kr |
| 500 + | 27,328 kr | 683,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-9048
- Tillv. art.nr:
- IRFP7430PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 195A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 460nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 366W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 20.7mm | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.87mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 460nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 366W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 20.7mm | ||
Bredd 5.31mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.87mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineons StarkIRFET familjen är optimerad för låg RDS(på) och kapacitet för hög strömstyrka. Denna portfölj erbjuder förbättrad robusthet för gate, lavin och dynamisk dv/dt och är idealisk för industriella lågfrekvensapplikationer som motorstyrningar, elverktyg, växelriktare och batterihantering där prestanda och robusthet är avgörande.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 483 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 172 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET