Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, StrongIRFET
- RS-artikelnummer:
- 165-6504
- Tillv. art.nr:
- IRFS7534TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (800 enheter, på en rulle med 800)*
10 276,80 kr
(exkl. moms)
12 846,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 12,846 kr | 10 276,80 kr |
| 1600 + | 12,204 kr | 9 763,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6504
- Tillv. art.nr:
- IRFS7534TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 195A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 186nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 294W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 186nC | ||
Maximal effektförlust Pd 294W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 9.65mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon StrongIRFET-serien MOSFET, 195 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 294 W maximal effektförlust - IRFS7534TRLPBF
Denna MOSFET är utformad för effektiv strömhantering i en rad elektroniska tillämpningar. Med möjligheten att hantera kontinuerliga dräneringsströmmar upp till 195 A och en dräneringskällspänning på 60 V ger den effektiv prestanda för olika uppgifter. Dess funktioner i ytmonterade konfigurationer förbättrar kretsens effektivitet och reläkapacitet för proffs inom automation och elektronik.
Funktioner & fördelar
• Hög strömkapacitet stöder krävande laster
• Låg Rds(on) på 2,4 mΩ förbättrar energieffektiviteten
• Utformad för drift vid höga temperaturer upp till +175 °C
• Robust avalanche och dynamisk dV/dt-tålighet för tillförlitlig drift
• Helt karakteriserad kapacitans underlättar noggrann omkopplingsprestanda
Användningsområden
• Lämplig för borstad och BLDC-motordrivkretsar
• Effektiv för batteridriven och strömomvandlare
• Användbar i topologier med halv- och helbrygga för olika konstruktioner
• Kan användas i DC/AC-växelriktare och resonansnätaggregat
• Idealisk för redundanta strömställare i kritiska system
Hur hanterar denna komponent termisk hantering?
Den fungerar effektivt under höga termiska förhållanden med en maximal temperatur på +175 °C.
Vilka är konsekvenserna av det låga Rds(on)-värdet?
Det låga påslagningsmotståndet minimerar ledningsförluster, vilket leder till förbättrad effektivitet vid strömfördelning.
Kan den användas i tillämpningar med varierande belastningsförhållanden?
Ja, dess höga strömkapacitet och robusta egenskaper gör att den kan hantera fluktuerande belastningsförhållanden effektivt.
Vilken typ av montering rekommenderas för optimal prestanda?
Ytmonteringsteknik föreslås för effektiv värmeavledning och kompakt integrering.
Hur fungerar den under pulserande förhållanden?
Den kan säkert hantera pulserande dräneringsströmmar upp till 944 A, vilket ger flexibilitet för transienter utan fel.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 360 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 363 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET