Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 62 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-018
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S7N056DATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 100 till för att spara 69,40 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
138,43 kr
(exkl. moms)
173,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 14 maj 2027
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 13,843 kr | 138,43 kr | - |
| 100 - 240 | 13,149 kr | 131,49 kr | 69,40 kr |
| 250 - 490 | 12,174 kr | 121,74 kr | 417,25 kr |
| 500 - 990 | 11,222 kr | 112,22 kr | 1 310,50 kr |
| 1000 + | 10,808 kr | 108,08 kr | 3 035,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-018
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S7N056DATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 62A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8-61 | |
| Serie | OptiMOS-TM7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 41W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8-61 | ||
Serie OptiMOS-TM7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 41W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 62 A maximal kontinuerlig drain-ström, 40 V maximal drain-källspänning - IAUCN04S7N056DATMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilket spänningsområde kan appliceras på denna enhet för effektiv drift?
Hur säkerställer jag tillförlitlig drift när jag ansluter mer än trettio bussenheter?
Vilka säkerhetsfunktioner är integrerade för att skydda anslutna enheter?
Är det nödvändigt att använda en andra strömförsörjningsenhet för mina tillämpningar?
Relaterade länkar
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 64 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 82 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 370 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-43, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 139 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
