Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 64 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-292
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S7L053DATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 100 till för att spara 69,40 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
138,43 kr
(exkl. moms)
173,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 14 maj 2027
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 13,843 kr | 138,43 kr | - |
| 100 - 240 | 13,149 kr | 131,49 kr | 69,40 kr |
| 250 - 490 | 12,174 kr | 121,74 kr | 417,25 kr |
| 500 - 990 | 11,222 kr | 112,22 kr | 1 310,50 kr |
| 1000 + | 10,808 kr | 108,08 kr | 3 035,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-292
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S7L053DATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 64A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8-61 | |
| Serie | OptiMOS-TM7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 41W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8-61 | ||
Serie OptiMOS-TM7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 41W | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 64 A maximal kontinuerlig drain-ström, 40 V maximal drain-källspänning - IAUCN04S7L053DATMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilka är konsekvenserna av den höga spänningsklassningen för driftsäkerheten?
Hur påverkar effektförlusten energieffektiviteten under drift?
Kan denna produkt stödja frekventa omkopplingsoperationer i automationsuppgifter?
Relaterade länkar
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 62 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 82 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 370 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-43, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 139 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
