Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- RS-artikelnummer:
- 348-980
- Tillv. art.nr:
- FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
3 697,23 kr
(exkl. moms)
4 621,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 18 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 3 697,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-980
- Tillv. art.nr:
- FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyPACK | |
| Serie | FS13MR12W2M1H_C55 | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 25mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyPACK | ||
Serie FS13MR12W2M1H_C55 | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 25mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Six-Pack Module incorporates CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 technology, delivering exceptional performance for power applications. It comes in a best-in-class package with a compact 12 mm height, ensuring efficient space utilization while maintaining high performance. The module utilizes leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, offering superior efficiency and thermal management.
Outstanding module efficiency
System cost advantages
System efficiency improvement
Reduced cooling requirements
Enabling higher frequency
Increase of power density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62.5 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1H_B70
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Förbättring, Fack, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET
