Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

3 910,59 kr

(exkl. moms)

4 888,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
1 +3 910,59 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
348-980
Tillv. art.nr:
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

EasyPACK

Serie

FS13MR12W2M1H_C55

Fästetyp

Skruv

Maximal drain-källresistans Rds

25mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Framåtriktad spänning Vf

5.35V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Six-Pack Module incorporates CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 technology, delivering exceptional performance for power applications. It comes in a best-in-class package with a compact 12 mm height, ensuring efficient space utilization while maintaining high performance. The module utilizes leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, offering superior efficiency and thermal management.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Relaterade länkar