Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Förbättring, Fack, EasyPACK
- RS-artikelnummer:
- 349-248
- Tillv. art.nr:
- F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
1 402,58 kr
(exkl. moms)
1 753,22 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 18 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 402,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-248
- Tillv. art.nr:
- F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 65A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | EasyPACK | |
| Kapseltyp | Fack | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 65A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie EasyPACK | ||
Kapseltyp Fack | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 3-nivåmodul i NPC2-topologi 1200 V, 11 mΩ G1 med NTC, föranvänt termisk gränssnittsmaterial och PressFIT-kontaktteknik. MOSFET har bäst i klassen förpackning med en kompakt höjd på bara 12 mm, utformad för optimal prestanda inom kraftelektronik. Den använder banbrytande Wide Bandgap-material, vilket förbättrar dess effektivitet och tillförlitlighet. Konstruktionen innehåller mycket låg modulströmsinduktans, vilket säkerställer minimal effektförlust och förbättrat omkopplingsbeteende.
Enastående modulseffektivitet
Systemets kostnadsfördelar
Förbättrad systemeffektivitet
Minskade kylkrav
Möjliggör högre frekvens
Ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62.5 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1H_B70
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET