Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Förbättring, Fack, EasyPACK

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

2 671,65 kr

(exkl. moms)

3 339,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 18 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +2 671,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-248
Tillv. art.nr:
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

Fack

Serie

EasyPACK

Typ av fäste

Skruv

Maximal drain-källresistans Rds

16mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

20mW

Framåtriktad spänning Vf

5.35V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 3 level module in NPC2 topology 1200 V, 11mΩ G1 with NTC, pre applied thermal interface material and PressFIT contact technology. The MOSFET features best in class packaging with a compact height of just 12 mm, designed for optimal performance in power electronics. It utilizes leading edge Wide Bandgap materials, enhancing its efficiency and reliability. The design incorporates very low module stray inductance, ensuring minimal power loss and improved switching behaviour.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Relaterade länkar