Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-8MR12W2M1H_B70
- RS-artikelnummer:
- 348-969
- Tillv. art.nr:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
3 716,83 kr
(exkl. moms)
4 646,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 3 716,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-969
- Tillv. art.nr:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyPACK | |
| Serie | F4-8MR12W2M1H_B70 | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, 60068, 60749 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyPACK | ||
Serie F4-8MR12W2M1H_B70 | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, 60068, 60749 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V, 8 mΩ G1 with NTC, PressFIT contact technology and aluminium nitride ceramic. This MOSFET offers best-in-class packaging with a compact 12 mm height, optimizing both space and performance. It features leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, providing superior efficiency and power handling. The design incorporates very low module stray inductance, minimizing power losses and improving switching dynamics. Powered by the Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, it delivers excellent thermal performance and reliability.
Outstanding module efficiency
System cost advantages
System efficiency improvement
Reduced cooling requirements
Enabling higher frequency
Increase of power density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1H_B76
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1H_B70