Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-8MR12W2M1H_B70
- RS-artikelnummer:
- 348-969
- Tillv. art.nr:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
1 768,70 kr
(exkl. moms)
2 210,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 15 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 768,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-969
- Tillv. art.nr:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyPACK | |
| Serie | F4-8MR12W2M1H_B70 | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, 60068, 60749 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyPACK | ||
Serie F4-8MR12W2M1H_B70 | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, 60068, 60749 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET fyrpackmodul 1200 V, 8 mΩ G1 med NTC, PressFIT-kontaktteknik och aluminiumnitridkeramik. Denna MOSFET erbjuder klassens bästa förpackning med en kompakt höjd på 12 mm, vilket optimerar både utrymme och prestanda. Den har ledande WBG-material (Wide Bandgap), vilket ger överlägsen effektivitet och effekthantering. Konstruktionen innehåller mycket låg modulströmsinduktans, vilket minimerar effektförluster och förbättrar omkopplingsdynamiken. Den drivs av den förbättrade CoolSiC MOSFET Gen 1 och ger utmärkt termisk prestanda och tillförlitlighet.
Enastående modulseffektivitet
Systemets kostnadsfördelar
Förbättrad systemeffektivitet
Minskade kylkrav
Möjliggör högre frekvens
Ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1H_B76
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62.5 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1HP_B11