Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-8MR12W2M1H_B70

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

3 931,09 kr

(exkl. moms)

4 913,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 15 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +3 931,09 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
348-969
Tillv. art.nr:
F48MR12W2M1HB70BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

F4-8MR12W2M1H_B70

Kapseltyp

EasyPACK

Fästetyp

Skruv

Maximal drain-källresistans Rds

15.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

5.35V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

IEC 60747, 60068, 60749

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V, 8 mΩ G1 with NTC, PressFIT contact technology and aluminium nitride ceramic. This MOSFET offers best-in-class packaging with a compact 12 mm height, optimizing both space and performance. It features leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, providing superior efficiency and power handling. The design incorporates very low module stray inductance, minimizing power losses and improving switching dynamics. Powered by the Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, it delivers excellent thermal performance and reliability.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Relaterade länkar