Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1H_B76
- RS-artikelnummer:
- 349-252
- Tillv. art.nr:
- F417MR12W1M1HB76BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
1 734,32 kr
(exkl. moms)
2 167,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 24 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 734,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-252
- Tillv. art.nr:
- F417MR12W1M1HB76BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyPACK | |
| Serie | F4-17MR12W1M1H_B76 | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 34.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyPACK | ||
Serie F4-17MR12W1M1H_B76 | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 34.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
The Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V, 17 mΩ G1 with NTC and PressFIT contact technology. This MOSFET is designed with best in class packaging, offering a compact 12 mm height for efficient space utilization. It leverages leading edge Wide Bandgap materials, providing enhanced power efficiency and performance. With very low module stray inductance, it minimizes power loss and improves switching dynamics.
Outstanding module efficiency
System cost advantages
System efficiency improvement
Reduced cooling requirements
Enabling higher frequency
Increase of power density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 45 A 1200 V Förbättring F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Typ N Kanal 75 A 1200 V Förbättring F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Typ N Kanal 25 A 1200 V Förbättring F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Typ N Kanal 100 A 1200 V Förbättring F4-8MR12W2M1H_B70
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal 95 A 1200 V Förbättring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal 60 A 1200 V Förbättring EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal 75 A 1200 V Förbättring FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon Typ N Kanal 62.5 A 1200 V Förbättring FS13MR12W2M1H_C55
