Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76
- RS-artikelnummer:
- 348-968
- Tillv. art.nr:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
1 048,10 kr
(exkl. moms)
1 310,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 24 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 048,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-968
- Tillv. art.nr:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyPACK | |
| Serie | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 69.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyPACK | ||
Serie F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 69.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
The Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V, 33 mΩ G1 with NTC and PressFIT contact technology. This MOSFET features best-in-class packaging with a compact 12 mm height, enabling efficient space utilization without compromising performance. It incorporates leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, ensuring improved efficiency and enhanced power handling capabilities. The design also boasts very low module stray inductance, which reduces power loss and optimizes switching performance.
Outstanding module efficiency
System cost advantages
System efficiency improvement
Reduced cooling requirements
Enabling higher frequency
Increase of power density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1H_B76
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-8MR12W2M1H_B70
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1H_B70
