Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76
- RS-artikelnummer:
- 348-968
- Tillv. art.nr:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
640,64 kr
(exkl. moms)
800,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 24 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 640,64 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-968
- Tillv. art.nr:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyPACK | |
| Serie | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 69.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyPACK | ||
Serie F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 69.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET fyrpaketmodul 1200 V, 33 mΩ G1 med NTC och PressFIT-kontaktteknik. Denna MOSFET har klassens bästa förpackning med en kompakt höjd på 12 mm, vilket möjliggör effektiv utrymmesanvändning utan att kompromissa med prestandan. Den innehåller ledande WBG-material (Wide Bandgap), vilket säkerställer förbättrad effektivitet och förbättrad effekthantering. Konstruktionen har också mycket låg modulströmsinduktans, vilket minskar effektförlusten och optimerar omkopplingsprestanda.
Enastående modulseffektivitet
Systemets kostnadsfördelar
Förbättrad systemeffektivitet
Minskade kylkrav
Möjliggör högre frekvens
Ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1H_B76
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-11MR12W2M1H_B70
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-8MR12W2M1H_B70
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62.5 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1HP_B11