Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, F4-17MR12W1M1HP_B76

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

1 108,80 kr

(exkl. moms)

1 386,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 24 enhet(er) från den 20 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +1 108,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
348-968
Tillv. art.nr:
F433MR12W1M1HB76BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

25A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

F4-17MR12W1M1HP_B76

Kapseltyp

EasyPACK

Fästetyp

Skruv

Maximal drain-källresistans Rds

69.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Framåtriktad spänning Vf

5.35V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE
The Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V, 33 mΩ G1 with NTC and PressFIT contact technology. This MOSFET features best-in-class packaging with a compact 12 mm height, enabling efficient space utilization without compromising performance. It incorporates leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, ensuring improved efficiency and enhanced power handling capabilities. The design also boasts very low module stray inductance, which reduces power loss and optimizes switching performance.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Relaterade länkar