STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V, 7 Ben, H2PAK-7, SCT0 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

316,74 kr

(exkl. moms)

395,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9316,74 kr
10 - 99285,15 kr
100 +262,86 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
330-232
Tillv. art.nr:
SCT020H120G3AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

H2PAK-7

Serie

SCT0

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

18.5mΩ

Maximal effektförlust Pd

555W

Framåtriktad spänning Vf

3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

121nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101, RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.

AEC-Q101-godkänd

Mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet

Växlingsprestanda med hög hastighet

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Källdetekteringsstift för ökad effektivitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.