STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V, 7 Ben, H2PAK-7, SCT0 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

282,91 kr

(exkl. moms)

353,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9282,91 kr
10 - 99254,69 kr
100 +234,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
330-232
Tillv. art.nr:
SCT020H120G3AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT0

Kapseltyp

H2PAK-7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

18.5mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

121nC

Maximal effektförlust Pd

555W

Framåtriktad spänning Vf

3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101, RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterade länkar