STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-952
- Tillv. art.nr:
- SCT025H120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
185,25 kr
(exkl. moms)
231,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 185,25 kr |
| 10 - 99 | 182,34 kr |
| 100 - 999 | 180,10 kr |
| 1000 + | 177,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-952
- Tillv. art.nr:
- SCT025H120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Kapseltyp | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Längd | 15.25mm | |
| Bredd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Kapseltyp H2PAK-7 | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.8mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Längd 15.25mm | ||
Bredd 10.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- STMicroelectronics, MOSFET, 55 A 1200 V, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCTH50N120-7
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, Sct