STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-952
- Tillv. art.nr:
- SCT025H120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
185,25 kr
(exkl. moms)
231,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 358 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 185,25 kr |
| 10 - 99 | 182,34 kr |
| 100 - 999 | 180,10 kr |
| 1000 + | 177,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-952
- Tillv. art.nr:
- SCT025H120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Kapseltyp | H2PAK-7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.7V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Längd | 15.25mm | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Kapseltyp H2PAK-7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.7V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Längd 15.25mm | ||
Höjd 4.8mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N, Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- STMicroelectronics, MOSFET, 55 A 1200 V, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT