STMicroelectronics, MOSFET, 55 A 1200 V, H2PAK-7, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

307,85 kr

(exkl. moms)

384,81 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9307,85 kr
10 - 99277,07 kr
100 +255,58 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
365-166
Tillv. art.nr:
SCT025H120G3-7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

H2PAK-7

Serie

SCT

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

27mΩ

Maximal effektförlust Pd

375W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterade länkar