STMicroelectronics, MOSFET, 55 A 1200 V, H2PAK-7, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

294,22 kr

(exkl. moms)

367,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9294,22 kr
10 - 99264,77 kr
100 +244,16 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
365-166
Tillv. art.nr:
SCT025H120G3-7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

H2PAK-7

Serie

SCT

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

27mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

375W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.

AEC-Q101-godkänd

Mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet

Växlingsprestanda med hög hastighet

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Källdetekteringsstift för ökad effektivitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.