Infineon N Kanal, MOSFET, 171 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-640
- Tillv. art.nr:
- BSC030N10NS5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
105,62 kr
(exkl. moms)
132,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 52,81 kr | 105,62 kr |
| 20 - 198 | 47,49 kr | 94,98 kr |
| 200 - 998 | 43,79 kr | 87,58 kr |
| 1000 - 1998 | 40,655 kr | 81,31 kr |
| 2000 + | 36,345 kr | 72,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-640
- Tillv. art.nr:
- BSC030N10NS5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 171A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 171A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- AT
Infineons OptiMOS Power MOSFET är utformad för att leverera enastående prestanda i krävande tillämpningar. Som en del av OptiMOS 5-serien kombinerar den jordbrytande teknik med robusta funktioner för att möta behoven hos industriella tillämpningar. Med en betydande brytningsspänning för dräneringskälla på 100 V och betydande avrinningsförmåga garanterar denna komponent robust drift i högspänningssituationer. Produktens innovativa design effektiviserar värmeavledningen, vilket bevarar prestanda även under tunga belastningar, vilket översätter till ökad livslängd och tillförlitlighet i dina kretsar.
Dubbelsidig kylning optimerar värmefördelningen
175 °C märke för krävande miljöer
N-kanalkonfigurationen ökar flexibiliteten
Utmärkt värmebeständighet maximerar effektiviteten
100 % lavintestat för tillförlitlighet
Blyfri plätering i enlighet med RoHS
Halogenfri konstruktion för miljövänlighet
Kvalificerad enligt JEDEC-standarderna för industrin
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 171 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 144 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS