Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-635
- Tillv. art.nr:
- BSC007N04LS6SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
40,10 kr
(exkl. moms)
50,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 20,05 kr | 40,10 kr |
| 20 - 198 | 18,03 kr | 36,06 kr |
| 200 - 998 | 16,575 kr | 33,15 kr |
| 1000 - 1998 | 15,455 kr | 30,91 kr |
| 2000 + | 13,775 kr | 27,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-635
- Tillv. art.nr:
- BSC007N04LS6SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 381A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- AT
Infineon MOSFET är en effekttransistor för högpresterande tillämpningar som kräver robust effektivitet och tillförlitlighet. Med sin dubbelsidiga kylförpackning har den den lägsta sammanslagningen till TOP värmebeständighet, vilket möjliggör överlägsen värmeavledning. N-kanalens konstruktion säkerställer optimal prestanda i synkroniserade tillämpningar, vilket gör den till ett idealiskt val för moderna strömhanteringssystem. Med blybeläggning utan bly och överensstämmelse med RoHS. Dessutom säkerställer dess höga lavinmärke stabilitet under krävande förhållanden, medan den nominella driftstemperaturen på upp till 175 °C förbättrar dess användbarhet i olika miljöer.
Sömlös integration för synkroniserade tillämpningar
Uppfyller JEDEC-standarderna för industriell användning
Avancerad värmehantering förbättrar hållbarheten
Enastående motståndskraft för effektivitet
Hanterar hög lavin-energi på ett tillförlitligt sätt
Stöder halogenfri och miljömedveten design
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 144 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 89 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 171 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 331 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, OptiMOS