Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-760
- Tillv. art.nr:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
219,74 kr
(exkl. moms)
274,675 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 43,948 kr | 219,74 kr |
| 50 - 95 | 41,754 kr | 208,77 kr |
| 100 - 495 | 38,708 kr | 193,54 kr |
| 500 - 995 | 35,616 kr | 178,08 kr |
| 1000 + | 34,294 kr | 171,47 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-760
- Tillv. art.nr:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 132A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 132A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET har en optimos 5-effekttransistor som är utformad för att utmärka sig i synkron utjämning, vilket ger oöverträffad prestanda och effektivitet. Med en robust design och ART-värmehanteringsfunktioner säkerställer denna effekt-MOSFET tillförlitlig drift i krävande miljöer. Dess överlägsna värmebeständighet gör den till ett utmärkt val för olika industriella tillämpningar, vilket säkerställer att dina system fungerar med maximal tillförlitlighet och minimal effektförlust. I full överensstämmelse med RoHS-föreskrifterna prioriterar denna komponent miljövänlighet samtidigt som den upprätthåller exceptionell funktionalitet.
Synkron utjämning med hög effektivitet
N-kanalkonfiguration för effektiv prestanda
100 % lavin-testad tillförlitlighet
Halogenfria material för säkrare bortskaffande
Stöd för ett brett industriellt temperaturområde
Minimalt motstånd på-tillståndet minskar effektförlusten
RoHS-kompatibel för miljömässig hållbarhet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 789 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 276 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Förbättring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 144 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS