Infineon N Kanal, MOSFET, 144 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 284-642
- Tillv. art.nr:
- BSC033N08NS5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
72,58 kr
(exkl. moms)
90,725 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 14,516 kr | 72,58 kr |
| 50 - 95 | 13,798 kr | 68,99 kr |
| 100 + | 12,768 kr | 63,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-642
- Tillv. art.nr:
- BSC033N08NS5SCATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 144A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 144A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons OptiMOS Power MOSFET är precis utformad för spetskompetens inom effektiv elektronisk design. Denna avancerade effekt-MOSFET ger enastående prestanda vid 80 V, vilket är idealiskt för synkron utjämning i krävande tillämpningar som servrar och stationära strömförsörjningar. Med ett dubbelsidigt kylhus minskar det värmemotståndet avsevärt, vilket ökar tillförlitligheten och värmehanteringen. Denna produkt sticker ut med sin robusta lavintesterade design, vilket säkerställer hållbarhet under transientspänningsförhållanden. Dra nytta av överlägsen värmeledningsförmåga och en blyfri konstruktion som uppfyller strikta RoHS-standarder, vilket gör den inte bara kraftfull utan också miljövänlig.
Dubbelsidigt kylhus för termisk hantering
Konstruerad för hög effektivitet vid synkron utjämning
100 % lavinvaliderad för tillförlitlighet
Överlägset värmebeständighet ökar hållbarheten
Beräknad för prestanda upp till 175 °C
Blyfri plätering för miljökompatibilitet
Halogenfria standarder enligt IEC61249 2 21
Kvalificerad enligt JEDEC-standarderna för industrin
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 144 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 171 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS