ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 30 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, R65
- RS-artikelnummer:
- 265-310
- Tillv. art.nr:
- RH6E040BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
95,76 kr
(exkl. moms)
119,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 90 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,576 kr | 95,76 kr |
| 100 - 240 | 9,094 kr | 90,94 kr |
| 250 - 490 | 8,422 kr | 84,22 kr |
| 500 - 990 | 7,773 kr | 77,73 kr |
| 1000 + | 7,47 kr | 74,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-310
- Tillv. art.nr:
- RH6E040BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 125A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | R65 | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30.0nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 78W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 125A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie R65 | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30.0nC | ||
Maximal effektförlust Pd 78W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Antal element per chip 1 | ||
ROHM Power MOSFET har lågt motstånd vid tändning och är inrymd i ett kompakt, högeffektivt litet mögelhus. Den är väl lämpad för en mängd olika tillämpningar, inklusive omkoppling, motordrivrutiner och DC/DC-omvandlare, vilket ger effektiv prestanda i utrymmesbegränsade miljöer.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Högpresterande litet formhölje
Låg påslagningsresistans
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT, RH6R025BH
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 135 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RH6G04
- ROHM Typ P, Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MC5