DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-6909
- Tillv. art.nr:
- DMP2040USS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
2 850,00 kr
(exkl. moms)
3 550,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,14 kr | 2 850,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-6909
- Tillv. art.nr:
- DMP2040USS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | DMP2040USS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 52mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 4.95mm | |
| Bredd | 3.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie DMP2040USS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 52mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 4.95mm | ||
Bredd 3.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna nya generation MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg gate-tröskelspänning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Lågt ingångs-/utgångsläckage
Helt blyfri
Halogen- och antimonfri. Grön enhet.
Användningsområden
Bakgrundsbelyst
Strömhanteringsfunktioner
DC/DC-omvandlare
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMN6022 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101