DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMT616

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

5 140,00 kr

(exkl. moms)

6 425,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +2,056 kr5 140,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-0156
Tillv. art.nr:
DMT616MLSS-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

DMT616

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

21mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.39W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13.6nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.85mm

Längd

5.9mm

Höjd

1.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
DiodesZetex 60 V, 8-polig N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 20 V med 1,39 W termisk effektförlust.

Snabb kopplingshastighet

Låg ingångskapacitans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.