DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 14.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMT67M8LSS
- RS-artikelnummer:
- 213-9216
- Tillv. art.nr:
- DMT67M8LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
185,725 kr
(exkl. moms)
232,15 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 7,429 kr | 185,73 kr |
| 50 - 75 | 7,284 kr | 182,10 kr |
| 100 - 225 | 6,50 kr | 162,50 kr |
| 250 - 975 | 6,388 kr | 159,70 kr |
| 1000 + | 5,698 kr | 142,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-9216
- Tillv. art.nr:
- DMT67M8LSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | DMT67M8LSS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.85mm | |
| Längd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.45mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie DMT67M8LSS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.85mm | ||
Längd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.45mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex DMT8030LFDF-serien är N-kanal MOSFET. Den används i strömhanteringsfunktioner, batteridrivna system och halvledarreläer.
100 % oklämd induktiv omkoppling
Test i produktion – säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 14.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMT67M8LSS
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMT616
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008DN8
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMN6022 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008DN8 AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008N8 AEC-Q101