STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 215-229
- Tillv. art.nr:
- SCT027W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 enhet)*
171,47 kr
(exkl. moms)
214,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 24 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 171,47 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-229
- Tillv. art.nr:
- SCT027W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 313W | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 3V | ||
Maximal effektförlust Pd 313W | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 900 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101