STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

12 742,35 kr

(exkl. moms)

15 927,93 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +424,745 kr12 742,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-222
Tillv. art.nr:
SCT015W120G3-4AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

20mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

167nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

673W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

4.2V

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.

Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.