STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 215-222
- Tillv. art.nr:
- SCT015W120G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (30 enheter, i ett rör med 30)*
12 742,35 kr
(exkl. moms)
15 927,93 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 424,745 kr | 12 742,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-222
- Tillv. art.nr:
- SCT015W120G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 4.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 673W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 167nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 4.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 673W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 167nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 110 A 900 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101