STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL125N10F8AG AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

50 178,00 kr

(exkl. moms)

62 724,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 10 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +16,726 kr50 178,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-995
Tillv. art.nr:
STL125N10F8AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

125A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

STL125N10F8AG

Kapseltyp

PowerFLAT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

150W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

56nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics 100 V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET är konstruerad i STripFET F8-teknik och har en förbättrad grindgrindstruktur. Det säkerställer en toppmodern siffra av meriter för mycket lågt motstånd i påläge samtidigt som den minskar den interna kapaciteten och grindladdningen för snabbare och effektivare omkoppling.

Låg grindladdning Qg

Vätbart flankhölje

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.