IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- RS-artikelnummer:
- 194-350
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-376
- Tillv. art.nr:
- IXFN60N80P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
487,20 kr
(exkl. moms)
609,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 900 enhet(er) levereras från den 10 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 487,20 kr |
| 2 - 4 | 418,54 kr |
| 5 - 9 | 407,46 kr |
| 10 - 19 | 397,04 kr |
| 20 + | 387,07 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 194-350
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-376
- Tillv. art.nr:
- IXFN60N80P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 53A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Kapseltyp | SOT-227 | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 140mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 250nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.04kW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 38.23mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 53A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Kapseltyp SOT-227 | ||
Typ av fäste Panel | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 140mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 250nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.04kW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 38.23mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie
N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET