IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 800 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Polar

Antal (1 enhet)*

275,52 kr

(exkl. moms)

344,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 201 enhet(er) från den 02 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +275,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
194-344
Distrelec artikelnummer:
302-53-397
Tillv. art.nr:
IXFR44N80P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

25A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

ISOPLUS247

Serie

HiperFET, Polar

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

200mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

200nC

Maximal effektförlust Pd

300W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

16.13mm

Höjd

21.34mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.