IXYS N Kanal, MOSFET, 25 A 800 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Polar
- RS-artikelnummer:
- 194-344
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-397
- Tillv. art.nr:
- IXFR44N80P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 enhet)*
275,52 kr
(exkl. moms)
344,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 107 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 275,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 194-344
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-397
- Tillv. art.nr:
- IXFR44N80P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Kapseltyp | ISOPLUS247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 200nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 21.34mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Kapseltyp ISOPLUS247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 200nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.21mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 21.34mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie
N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 800 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 300 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, Polar HiPerFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 500 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar