IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

295,68 kr

(exkl. moms)

369,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 25 enhet(er) från den 04 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +59,136 kr295,68 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
194-136
Distrelec artikelnummer:
304-29-647
Tillv. art.nr:
IXFP7N80P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HiperFET, Polar

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.44Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

200W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.66mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.15mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.