IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- RS-artikelnummer:
- 194-079
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-314
- Tillv. art.nr:
- IXFH24N80P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
97,71 kr
(exkl. moms)
122,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 23 enhet(er) från den 11 juni 2026
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 02 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 5 | 97,71 kr |
| 6 - 14 | 84,45 kr |
| 15 + | 80,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 194-079
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-314
- Tillv. art.nr:
- IXFH24N80P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 400mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 650W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 21.46mm | |
| Längd | 16.26mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 650W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 21.46mm | ||
Längd 16.26mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie
N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 96 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 94 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar