IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

133,47 kr

(exkl. moms)

166,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • 25 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4133,47 kr
5 - 9130,70 kr
10 - 14126,45 kr
15 - 19125,33 kr
20 +123,87 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
194-546
Distrelec artikelnummer:
302-53-322
Tillv. art.nr:
IXFH36N50P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Kapseltyp

TO-247

Serie

HiperFET, Polar

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

170mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

540W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

93nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

16.26mm

Höjd

21.46mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.