IXYS N Kanal, MOSFET, 96 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- RS-artikelnummer:
- 193-442
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-340
- Tillv. art.nr:
- IXFH96N20P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
85,79 kr
(exkl. moms)
107,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 48 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 250 enhet(er) från den 15 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 85,79 kr |
| 5 - 19 | 82,21 kr |
| 20 - 49 | 80,08 kr |
| 50 - 99 | 77,95 kr |
| 100 + | 76,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 193-442
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-340
- Tillv. art.nr:
- IXFH96N20P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 96A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 600W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 145nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 16.26mm | |
| Bredd | 5.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 21.46mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 96A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 600W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 145nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 16.26mm | ||
Bredd 5.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 21.46mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie
N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 96 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 96 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar