STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1700 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, STGAP2
- RS-artikelnummer:
- 152-180
- Tillv. art.nr:
- STGAP2SICSNC
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
216,38 kr
(exkl. moms)
270,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 995 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 43,276 kr | 216,38 kr |
| 50 - 245 | 38,08 kr | 190,40 kr |
| 250 - 495 | 34,004 kr | 170,02 kr |
| 500 + | 29,21 kr | 146,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-180
- Tillv. art.nr:
- STGAP2SICSNC
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1700V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | STGAP2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1GΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1700V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie STGAP2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1GΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
STMicroelectronics single gate-drivare som ger galvanisk isolation mellan gate-driven kanal och lågspänningsstyrning och gränssnittskretsar. Gate-drivrutinen kännetecknas av 4 A kapacitet och räls-till-räls-utgångar, vilket gör enheten också lämplig för medel- och högeffektsanvändningar som effektomvandling och motordrivrutinsomvandlare i industriella tillämpningar.
Separat spis- och källalternativ för enkel grindstyrningskonfiguration
4 A Miller CLAMP dedikerade stiftalternativ
UVLO-funktion
Grinddriftsspänning upp till 26 V
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 1700 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, STGAP2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, STS
- STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT1000N170
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, Si4435DYPbF
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 126 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR