STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- RS-artikelnummer:
- 188-8543
- Tillv. art.nr:
- STS7NF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
185,47 kr
(exkl. moms)
231,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 7 260 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 18,547 kr | 185,47 kr |
| 100 - 490 | 12,69 kr | 126,90 kr |
| 500 - 2490 | 10,237 kr | 102,37 kr |
| 2500 + | 9,565 kr | 95,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8543
- Tillv. art.nr:
- STS7NF60L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 21mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.65mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 21mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.65mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Denna effekt-MOSFET är den senaste utvecklingen av STMicroelectronis unika ""Single Feature SizeTM" remsbaserad process." Den resulterande transistorn visar extremt hög packningstäthet för låg påslagningsresistans, robusta avalanchegenskaper och mindre kritiska inriktningssteg och därför en anmärkningsvärd tillverkningsrepeterbarhet.
TYPISK RDS(on) = 0,017 Ω
LÅG FÖRHÅLLNING
STANDARD OUTLINE FÖR ENKELA AUTOMATISERAD YTEMONTERING
ANSÖKNINGAR
DC-MOTORDRIVER
DC-DC-OMVANDLARE
BATTERIHANTERING INOMADISK UTRUSTNING
STRÖMHANTERING PORTABEL/DESKTOP st.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 1.7 kV Förbättring, 8 Ben, SO-8, STGAP2
- STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, STS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.5 A 100 V, PowerPAK SO-8
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 430 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, SO-8, HEXFET