Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4917CEY AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 735-121
- Tillv. art.nr:
- SQ4917CEY-T1_BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
- RS-artikelnummer:
- 735-121
- Tillv. art.nr:
- SQ4917CEY-T1_BE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SQ4917CEY | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.048Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.8W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SQ4917CEY | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.048Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 6.8W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 6.2mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishay Power MOSFET erbjuder hög prestanda i fordonstillämpningar, levererar robusta dubbla P-kanalkonfigurationer som hanterar spänningar upp till 60 V och temperaturer upp till 175 °C.
TrenchFET-teknik säkerställer låg påslagningsresistans
Erbjuder en maximal kontinuerlig dräneringsström på -8 A per ben
Relaterade länkar
- Vishay 4 Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4917CEY
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4946CEY AEC-Q101
- Vishay Dubbel N Kanal, MOSFET, 23.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 13.6 A -30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8 AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 20.5 A -30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8 AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 17.3 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4401CEY AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 65.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101