Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 273-2806
- Tillv. art.nr:
- IRF7351TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
115,36 kr
(exkl. moms)
144,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 20 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,072 kr | 115,36 kr |
| 50 - 95 | 21,056 kr | 105,28 kr |
| 100 - 495 | 19,332 kr | 96,66 kr |
| 500 - 1995 | 16,508 kr | 82,54 kr |
| 2000 + | 16,15 kr | 80,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2806
- Tillv. art.nr:
- IRF7351TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Infineons MOSFET är en 60 V N-kanals HEXFET-effekt-MOSFET. Denna MOSFET används för motorstyrsystem med låg effekt och för isolerade DC-till-DC-omvandlare.
Ultralåg grindimpedans
20 V VGS maximalt grindvärde
Helt karakteriserad avalanche-spänning och -ström
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.9 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 5.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET