STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 151-917
- Tillv. art.nr:
- STD25NF10T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
114,13 kr
(exkl. moms)
142,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 7 450 enhet(er) levereras från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,413 kr | 114,13 kr |
| 100 - 490 | 7,605 kr | 76,05 kr |
| 500 - 990 | 6,003 kr | 60,03 kr |
| 1000 - 2490 | 5,499 kr | 54,99 kr |
| 2500 + | 4,928 kr | 49,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-917
- Tillv. art.nr:
- STD25NF10T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | STripFET II | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 38Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie STripFET II | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 38Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien har utvecklats med hjälp av STripFET-processen, som är speciellt utformad för att minimera ingångskapaciteten och grindladdningen. Detta gör enheten lämplig för användning som primär omkopplare i avancerade isolerade DC-till-DC-omvandlare med hög effektivitet för telekommunikation och datorer.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
100 % avalanche-testade
Låg grindladdning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET