STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 151-916
- Tillv. art.nr:
- STD25NF10T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2500 enheter)*
12 600,00 kr
(exkl. moms)
15 750,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 5,04 kr | 12 600,00 kr |
| 5000 - 7500 | 4,506 kr | 11 265,00 kr |
| 10000 + | 4,405 kr | 11 012,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-916
- Tillv. art.nr:
- STD25NF10T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | STripFET II | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 38Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie STripFET II | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 38Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien har utvecklats med hjälp av STripFET-processen, som är speciellt utformad för att minimera ingångskapaciteten och grindladdningen. Detta gör enheten lämplig för användning som primär omkopplare i avancerade isolerade DC-till-DC-omvandlare med hög effektivitet för telekommunikation och datorer.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
100 % avalanche-testade
Låg grindladdning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET