STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 687-5071
- Tillv. art.nr:
- STD60NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Lägg till 50 till för att spara 622,70 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
150,53 kr
(exkl. moms)
188,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 1 990 enhet(er) från den 09 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 30,106 kr | 150,53 kr | - |
| 50 - 245 | 17,652 kr | 88,26 kr | 622,70 kr |
| 250 - 495 | 12,476 kr | 62,38 kr | 4 407,50 kr |
| 500 + | 9,722 kr | 48,61 kr | 10 192,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5071
- Tillv. art.nr:
- STD60NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | STripFET II | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie STripFET II | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.4mm | ||
Bredd 6.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
