STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 714-1060
- Tillv. art.nr:
- STD15NF10T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 352,80 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
85,46 kr
(exkl. moms)
106,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 640 enhet(er) levereras från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,092 kr | 85,46 kr | - |
| 50 - 245 | 10,036 kr | 50,18 kr | 352,80 kr |
| 250 - 495 | 7,078 kr | 35,39 kr | 2 503,50 kr |
| 500 + | 5,51 kr | 27,55 kr | 5 791,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 714-1060
- Tillv. art.nr:
- STD15NF10T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 70W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 70W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.2mm | ||
Höjd 2.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 16 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET