STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 151-938
- Tillv. art.nr:
- STD12NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 200 till för att spara 13%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 20 enheter)*
244,06 kr
(exkl. moms)
305,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 980 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 20 - 180 | 12,203 kr | 244,06 kr | - |
| 200 - 480 | 10,517 kr | 210,34 kr | 13% |
| 500 + | 8,255 kr | 165,10 kr | 32% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-938
- Tillv. art.nr:
- STD12NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | STripFET II | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie STripFET II | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien har utvecklats med hjälp av STripFET-processen, som är speciellt utformad för att minimera ingångskapaciteten och grindladdningen. Detta gör enheten lämplig för användning som primär omkopplare i avancerade isolerade DC-till-DC-omvandlare med hög effektivitet för telekommunikation och datorer.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
100 % avalanche-testade
Låg grindladdning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET